Teknologi Pemprosesan Semikonduktor Indium Phosphide (INP)
Jadual Kandungan
Pengenalan
Keperluan permohonan
Spesifikasi sistem
Aliran pemprosesan
Kes pelanggan
Keperluan permohonan
Pemprosesan wafer INP mesti mencapai objektif berikut:
Roughness permukaan: post - menggilap ra kurang daripada atau sama dengan 1 nm
Variasi Ketebalan Jumlah (TTV): TTV wafer akhir kurang daripada atau sama dengan 2 μm
Kawalan Ketebalan: Ketebalan sasaran 150 μm (tertakluk kepada keperluan pelanggan)
Kelemahan tepi: Mengimbangi kelebihan kelebihan semasa peringkat penggilap menggunakan platen pengisaran cembung.
Spesifikasi sistem
Sistem pengisaran dan penggilap ketepatan HSM menyediakan penyelesaian proses penuh -.
Aliran pemprosesan
Penyediaan pengisaran
Gunakan ujian ujian kebosanan untuk menentukur convexity platen penggiling kaca (digunakan untuk mengimbangi kesan kelebihan penggilap).
Muatkan wafer INP ke perlawanan khusus (ASJ). Lakukan dua - grinding tahap menggunakan Slurry Alumina:
Tahap 1:Keluarkan kerosakan pemotongan, mengurangkan kekasaran kepada 250-350 nm.
Tahap 2:Meningkatkan kebosanan, mencapai kekasaran 200-350 nm dan TTV kurang daripada atau sama dengan 3 μm.
Penyediaan penggilap
Gantikan platen lapping dengan pad penggilap dan tukar kasar ke buburan penggilap khusus HSM.
Parameter utama kawalan melalui antara muka grafik:
Menggilap kelajuan platen: kurang daripada atau sama dengan 100 rpm
Kadar aliran buburan: dipantau oleh sistem kawalan suapan titisan masa - sebenar (mengurangkan sisa)
Beban tekanan: diselaraskan secara dinamik berdasarkan keperluan ketebalan.
Sasaran:Keluarkan sub - kerosakan permukaan dan mencapai permukaan licin atom (Ra kurang daripada atau sama dengan 1 nm).
Hasilnya
The 2 - inci inp wafers diproses oleh sistem HSM-LP mencapai prestasi berikut:
Kes pelanggan
Pelanggan menggunakan sistem LP HSM - untuk memproses wafer 2-inci (50 mm) inp. Proses dan hasilnya adalah seperti berikut:
Dua - Tahap Pengisaran:
Lapping platen convexity ditentukur ke kelengkungan sasaran (untuk mengatasi kelebihan kelebihan).
Bahan dikeluarkan stepwise dengan buburan alumina, TTV stabil pada 3 μm.
Menggilap:
Menggilap kadar aliran buburan yang ditetapkan kepada 50 ml/min, kelajuan platen pada 80 rpm.
Kekasaran permukaan dikurangkan dari 350 nm hingga 1 nm (disahkan oleh profilometer Dektak).
Metrik Akhir:
Ketebalan: 150 ± 0.5 μm
Kebosanan: TTV kurang daripada atau sama dengan 1 μm
Integriti kelebihan: Tiada kerepek.
Pengesahan Teknikal
Skematik: Morfologi permukaan wafer INP selepas diproses oleh sistem LP HSM -.
Nota:
Peralatan Pengukuran: Bruker Contourgt White Light Interferometer
Penuh - Hasil Proses: Lebih besar daripada atau sama dengan 98% (saiz batch 80 wafer)
