Polihabluran Silikon Karbida
Polihabluran Silikon Karbida
Polycrystalline Silicon Carbide (Polycrystalline SiC), sebagai seramik struktur berprestasi tinggi{0}}tinggi dan bahan utama untuk peralatan semikonduktor, memainkan peranan penting dalam tingkap optik, komponen peralatan semikonduktor, ruang vakum dan-sistem laser tenaga tinggi kerana kekerasannya yang luar biasa, kekonduksian haba yang tinggi, rintangan haus yang sangat baik. Struktur polihablurnya dengan berkesan mengelakkan anisotropi kristal tunggal, memberikan kestabilan kejutan haba yang tinggi sambil mengekalkan kekuatan dan ketegaran yang tinggi. Walau bagaimanapun, kekerasan dan kerapuhan SiC polihabluran yang tinggi menimbulkan cabaran besar untuk pemesinan ketepatan, terutamanya dalam aplikasi optik dan semikonduktor yang memerlukan kemasan permukaan skala nano dan ketepatan bentuk sub-mikron. Kualiti pemesinan permukaan secara langsung menentukan prestasi komponen dan jangka hayat.
Syarikat Hemei mempunyai pengalaman mendalam dan pengumpulan teknikal dalam bidang-bahan ultra keras dan pemesinan ketepatan seramik. Menyasarkan ciri-ciri bahan polihabluran SiC, Hemei telah membangunkan penyelesaian penggilap dan perancang yang mengimbangi-penyingkiran bahan berkecekapan tinggi dengan pembentukan permukaan-kejituan ultra. Sistem proses ini meliputi keseluruhan aliran kerja daripada pembentukan kosong kepada permukaan gred optik-akhir, memastikan ia memenuhi keperluan ketat untuk kerataan tinggi, kekasaran rendah dan-permukaan sub-bebas kerosakan yang diminta oleh sistem optik, peralatan semikonduktor dan pengesan termaju.
Keperluan Permohonan
Objektif untuk menggilap dan rawatan permukaan bahan SiC polihabluran termasuk:
Mengurangkan kekasaran permukaan (Ra) kepada< 1 nm to decrease optical scattering loss and enhance optical performance.
Mencapai keseragaman ketebalan (TTV) Kurang daripada atau sama dengan 2 μm untuk memastikan kualiti pengimejan optik dan ketepatan penyepaduan sistem.
Mendapatkan permukaan yang bebas daripada serpihan, rekahan dan lapisan-kerosakan subpermukaan, memastikan kebolehpercayaan di bawah beban tinggi dan penggunaan jangka-panjang.
Proses ini sesuai untuk SiC polihabluran dengan saiz butiran dan ketumpatan pensinteran yang berbeza, menyokong komponen satah dengan ketebalan dari skala milimeter hingga sentimeter dan saiz dari 50mm hingga 200mm.
Untuk mencapai matlamat ini, proses Hemei menggunakan sistem ikatan tersuai dan prosedur penggilap berbilang-langkah untuk memastikan ketepatan geometri dan integriti permukaan semasa pemprosesan.
Spesifikasi Sistem
Sistem penggilap modular Hemei menyokong pemprosesan polihabluran SiC pelbagai saiz dan bentuk. Sistem teras termasuk:
HSM-Peralatan lapping Siri L/LP: Untuk penyingkiran bahan awal dan kawalan ketebalan.
HSM-Sistem Penggilapan Mekanikal Kimia (CMP) Siri CMP: Untuk mencapai permukaan ultra-licin,-bebas kerosakan.
Subsistem utama termasuk:
Wafer/Kristal-Unit Ikatan (WB) khusus
Lekapan Penggilapan Ketepatan Siri SJ/ASJ
C-Sistem Penggilapan Berkelajuan Tinggi-ASJ Drive Head
Aliran Pemprosesan
Ikatan dan Pemasangan: SiC polihabluran diikat sementara pada plat sokongan menggunakan unit WB, kemudian dipasang pada lekapan pengilat.
Penggilapan Kasar dan Pertengahan: Pengisaran terkawal dilakukan pada peralatan HSM-L untuk mengalih keluar lapisan kerosakan pemprosesan.
Penggilapan Halus: Sistem HSM-CMP melakukan pengilat akhir. Parameter seperti tekanan, kelajuan putaran dan aliran buburan dilaraskan dalam masa-sebenar untuk mencapai tahap nanometer-kelicinan permukaan.
Keputusan Biasa
Kekasaran permukaan Ra< 0.8 nm (measured by white light interferometer).
Jumlah Variasi Ketebalan (TTV) Kurang daripada atau sama dengan 1.5 μm.
Kadar penyingkiran bahan boleh mencapai 5-15 μm/min dalam peringkat pengisaran kasar dan dikawal pada 0.2-1 μm/min dalam peringkat penggilapan halus.
Mampu memproses plat SiC polihabluran dan komponen tingkap dengan diameter maksimum 200 mm dan ketebalan tidak melebihi 30 mm.
Ringkasan
Syarikat Hemei menyediakan penyelesaian penggilapan dan perancangan ultra{0}}kepersisan yang cekap dan boleh dikawal untuk karbida silikon polihabluran.
Penyelesaian ini memberikan kualiti permukaan berskala nano secara stabil dan ketepatan bentuk yang sangat baik, menyokong aplikasi yang andal dan peningkatan prestasi polihabluran SiC dalam sistem optik-tinggi, peralatan proses semikonduktor, muatan ruang,-peranti laser berkuasa tinggi dan medan lain.
